目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子科技类产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC，大多数都依赖进口，骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213，适用于65W氮化镓充电器芯片方案。

  PN8213工作于准谐振模式的控制芯片，供电电压9~57V，空载待机功耗

  <，通过dmg脚实现精确的谷底开通，最高工作频率可通过fset脚设置。当系统处于重载或中载下，芯片工作在valley-lock mode;随着负载减轻，芯片会进入pfm降低工作频率；当系统处于极轻载下，芯片会进入burst mode以降低待机功耗。内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。

  PN8213在驱动、芯片供电、电路等都做了进一步的优化，将驱动集成于芯片内，能够直接供电给氮化镓芯片，可兼容代换ON安森美NCP1342，针对快充应用，PN8213外围电路更简单，并具有较大的成本及供货优势。凭借其高度集成的芯片和简洁的电路，以及完整的解决方案，实现了65W氮化镓充电器芯片的国产替代

  好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用 未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合 ，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。 普通消费者了解并接受氮化镓，是从2018年氮化镓PD快充开始的。凭借氮化镓卓越的开关特性，可以高频工作，实现高转换效率，氮化镓PD快充成功实现了小型化和轻量化，消费者易于携带，使用者真实的体验大幅度提升。在过去几年内，氮化镓在PD快充中的渗透率逐步提升，花了钱的人氮化镓

  先进应用 /

  不知道从何时开始，替代PIC这个词在国内单片机就成了热搜词。好多人开发小方案的时候会想找PIC单片机开发，但又觉得成本太高消费不起。 这时候替代PIC这个词就出现在朋友们的眼前了。但说实话，国内能做到完全兼容替代PIC单片机的很少，大部分只能做到脚位或者功能部分替代，而做到完全兼容替代的目前国内只有麦肯和英锐恩这两家。 那为什么即使只能部分替代，很多人还是愿意用这些芯片做开发呢？ 用过PIC单片机的人都知道，PIC单片机它采用的是哈佛结构，精简指令集，定长指令字，单周期指令，多功能I/O。平时用的4MHZ主频，速度比20MHZ的51还快。它的工业级(-40度 - 125度工作范围)，主频高达20MHZ，28/40脚(

  早在2020年中央经济工作会议上，明确将“碳达峰”与“碳中和”列为2021年八项重点任务之一，而随着“碳中和”、“碳达峰”的火热讨论，绿色用电、高效发电显得至关重要。在此背景下，业内人士纷纷认为，具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业将进入发展快车道。 能源转换优势显著 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山指出，“碳中和”、“碳达峰”的战略决策意义非常重大，而节能减排则是核心工作之一。国家提出要建立以新能源为主体的新型电力系统，因此新能源的占比将会持续快速增加，而在新能源发展中，将会以工业半导体特别是第三代半导体作为主要的支撑。 毫无疑问，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗

  会成为功率半导体的未来吗？ /

  随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。 这些新一代组件的商品化，为电力电子产业打开了全新的应用可能性。 更高的功率密度与转换效率，是电力电子产业永远追求的目标。 然而，在组件技术未有重大突破的情况下，电力电子设备制造商即便在电路设计上不停地改进革新，提出各种先进拓扑架构，对电源系统带来的效率或功率密度提升效果还是遇到瓶颈。 有鉴于此，许多电源相关芯片业者，已经将未来的产品发展重心放在碳化硅、氮化镓等新一代材料的应用导入上，希望藉由材料

  随着物联网，尤其是智能照明和智能家居的发展，高效高性能的小体积电源慢慢的被市场所需求。如何能在电源体积做得更小的情况下，依然能确保最好的性能？ 安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。 NCL2801是安森美开关电源方案中PFC控制芯片家族的一员。内置谷底计数频率返走（VCFF）、谷底开通等技术，提供优秀的总谐波失真（THD）以及功率因数（PF）值表现。适用于LED照明、PC电源以及平板电视等要求高PF值、低THD的应用场合。 NCP13992作为安森美LLC谐振半桥控制器家族的一员，在NC

  开关器件的高频小体积照明电源方案 /

  尽管氮化镓电源技术相对较新，但工程师们丝毫不需要过多的担心其可靠性。 VPT公司宣布推出120V的SGRB12028S DC-DC 转换器。 SGRB12028S 利用EPC先进的宇航级GaN 技术，效率高达 95%，并且经过抗辐射处理。固定频率降压开关拓扑结构可实现非常低的输入和输出噪声，使其适用于各种高功率空间有效载荷或总线应用。 SGRB系列空间额定 DC-DC 转换器专为面临太空恶劣辐射环境的应用而设计，其特点是总电离剂量 (TID) 为 100 krad(Si)，包括低剂量率 (LDR) 和单次事件效应 (SEE) 性能达到 85 MeV/mg/cm2。SGRB系列具有集成EMI滤波器、120 V 输入和 28 V、40

  深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations日前宣布交付采用该公司PowiGaN™氮化镓技术的第一百万颗InnoSwitch™3开关电源IC。在安克创新深圳总部的活动现场，Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan亲手将第一百万颗氮化镓IC交到了安克CEO阳萌手中。安克是业界知名的充电器和适配器制造商，致力于为全球零售商提供紧凑、强大的USB PD适配器，以及适用于笔记本电脑、智能移动电子设备、机顶盒、显示器、家电、网络设备和游戏产品的各种充电器和适配器。 采用PowiGaN技术的InnoSwitch3恒压/恒流离线式反激式开关电源IC在各种负载

  的InnoSwitch3 IC /

  2020年5月26日，比亚迪公告称，比亚迪半导体有限公司（简称“比亚迪半导体”）以增资扩股的方式成功引入战略投资者，投资者共向比亚迪半导体合计增资人民币19亿元，其中人民币7,605万元计入比亚迪半导体新增注册资本，人民币18.24亿元计入比亚迪半导体资本公积，本轮投资者合计取得比亚迪半导体增资扩股后20.2%股权。 有必要注意一下的是，4月份，比亚迪刚发布了重要的公告称，其全资子公司深圳比亚迪微电子有限公司的内部重组已于近期完成，比亚迪微电子已正式更名为比亚迪半导体有限公司，比亚迪半导体拟以增资扩股等方式引入战略投资者。两次公告时间相差仅为42天，比亚迪方面表示，此次内部重组和引入战略投资者，除了扩充其资本实力，实现产能扩张，加速业务发展

  ”步伐加快 /

  功率晶体管技术

  【电路】600VIL4216／700VIL4217／800VIL4218型双向可控硅驱动光耦合电路

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