OFweek 2021人工智能在线系列活动】-汽车电子技术在线会议暨在线展

  无源器件是微波射频器件中重要的一类，在微波技术中占有很重要的地位。无源器件最重要的包含电阻，电容，电感，转换器，渐变器，匹配网络，谐振器，滤波器，混频器和开关等。在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。无源元件主要是电阻类、电感类和电容类器件，它们的共同特点是在电路中查看详情

  最新资讯探访2024慕尼黑上海电子展无源器件展区，开启科学技术创新之门！随着近年来我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的快速地发展以及新能源汽车、物联网、新能源等新兴领域的兴起，我国电子元器件的需求持续不断的增加，带动行业快速地发展。亚太地区集成无源器件市场预测将在2020年至2026年见证超过10％的增长率，这得益于政府对该地区半导体制造业扩张的支持

  人工智能内容生成（AIGC）技术在近一年来引起了科技界的广泛关注，因为它对各个行业有着颠覆性的影响。但是，要支持u

  AMD 以全新第二代 Versal 系列器件扩展领先自适应 SoC 产品组合，为 AI 驱动型嵌入式系统提供端到端加速

  2024 年 4 月 9 日，德国纽伦堡（国际嵌入式展）——AMD（超威，纳斯达克股票代码：AMD）今日宣布扩展 AMD Versal 自适应片上系统（ SoC）产品

  Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再次生产的能源、工业电力转换领域扩展产品线

  加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&

  长安储能研究院：高性能聚合物膜PVDF-HFP加速无负极锂金属电池性能突破

  随着可再次生产的能源和节能减排需求的日渐增长，全球能源结构正经历一场深刻转型，高效、轻便、高能量密度的电池技术成为此次变革的核心。锂金属电池以其高理论比容量备受瞩目，特别是无负极锂金属电池（AFLMB）摒弃

  14GB/s读取 国产闪存大发神威！忆恒创源PBlaze7 7946 6.4TB评测：企业级PCIe 5.0 SSD标杆

  一、前言：面向高性能业务应用的国产企业级PCIe 5.0 SSD 忆恒创源（Memblaze）是国内一家非常有名的企业级PCIe SSD厂商，因其品牌标识的缘故，很多玩家也亲切的称之为“小海豚”，深受不少发烧友的喜爱

  Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

  新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗AI应用的最佳器件

  三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

  蕙“智”兰“芯” 力 拔 头 筹 - ITECH IT2800系列 高精密源表荣获 欧洲年度最佳测试测量产品奖

  近日，欧洲权威电力电子行业媒体揭晓了各品类年度最佳产品的获奖榜单。艾德克斯ITECH IT2800系列 高精密源表（SMU）在激烈角逐中捷报频传，荣获殊荣。在欧洲专业媒体举办的EIA （Electro

  誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

  10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命

  Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

  使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 － 2023 年 10月 12日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商Transphorm

  喜报！ITECH IT2800系列 高精密源表同时 入围欧洲两大重磅行业奖项

  艾德克斯ITECH IT2800系列 高精密源表（SMU）凭借其突破性的独特设计和高性能测试指标成功入围欧洲两大电力电子行业奖项：Electronics Industry Awards年度最佳测试测量

  Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

  与安川电机公司合作取得的这项成果，充分的利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产

  ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％

  近年来，为实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设施的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名