答：当然，让我们先谈谈我们在实验室中习惯使用的熟悉的“分立”或轴向引线型电阻器;然后，我们将比较分立器件和薄膜或厚膜

  轴向引线类型：我们将讨论的三种最常见的轴向引线电阻器类型是碳成分，或碳膜金属膜和绕线：

  碳成分或碳膜型电阻器用于通用电路，其中初始精度和稳定能力随气温变化并不重要。典型应用包括用作集电极或发射极负载、晶体管/FET 偏置网络、充电电容器的放电路径以及数字逻辑电路中的上拉和/或下拉元件。

  碳型电阻器按准对数顺序分配一系列标准值（表1），从1欧姆到22兆欧，公差从2%（碳膜）到5%到20%（碳成分）。额定功率耗散范围为 1/8 瓦至 2 瓦。1/4 瓦和 1/2 瓦、5% 和 10% 类型往往是最受喜爱的。

  碳型电阻器的温度系数较差（通常为5， 000 ppm/°C）;因此，它们不太适合需要很少电阻随气温变化的精密应用，但它们价格低——每件 3， 0 个数量只需 03 美分 [1.000 美元]。

  表1列出了10%和1%容差的十进制（2：5范围）标准电阻值，间隔10%。光面中较小的子集表示唯一具有 10% 或 20% 公差的值;它们相距20%。

  金属膜电阻器适用于需要初始精度、低温度系数和低噪声的精密应用。金属膜电阻器通常由镍铬合金、氧化锡或氮化钽组成，采用密封或模制酚醛体。典型应用包括桥式电路、RC振荡器和有源滤波器。初始精度范围为 0.1 至 1.0 %，温度系数范围为 10 至 100 ppm/°C。 标准值范围为 10.0 欧姆至 301 欧姆，离散增量为 2%（额定容差为 0.5% 和 1%）。

  金属膜电阻器使用 4 位编号序列来标识电阻器值，而不是用于碳类型的色带方案：

  高频效果：与“理想”电阻器不同，“真正的”电阻器，如真正的电容器（模拟对线），受到寄生效应的影响。（实际上，任何两端元件可能看起来像电阻器、电容器、电感器或阻尼谐振电路，具体取决于测试频率。

  电阻基材和长度与横截面积之比等因素决定了寄生L和C在多大程度上影响电阻器在高频下有效直流电阻的恒定性。薄膜型电阻器通常具备优秀能力的高频响应;最好将其精度保持在 100 MHz 左右。 碳型的用法约为 1 MHz。 绕线电阻器具有最高的电感，因此频率响应最差。即使它们是无感绕的，它们也往往具有高电容，并且可能不适合在50 kHz以上使用。

  Q.温度效应如何？我是否应该始终使用温度系数 （TCR） 最低的电阻器？

  答：不一定。很大程度上取决于应用程序。对于此处所示的单个电阻器，在环路中测量电流，电流在电阻两头产生等于I x R的电压。在此应用中，任何温度下的电阻绝对精度对于电流测量的精度至关重要，因此将使用TC非常低的电阻。

  另一个例子是增益为100 op放大器电路中增益设置电阻的行为，如下所示。在这种类型的应用中，增益精度取决于电阻比（比率配置）、电阻匹配和电阻温度系数（TCR）的跟踪，比绝对精度更为关键。

  对于 10°C 的温升，两者RF和R我增加 0.01%/°C x 10°C = 0.1%。运算放大器增益[到非常好的近似值] 1 +RF/R我.由于两个电阻值虽然有很大不同（99：1），但增加了相同的百分比，因此它们的比率因此增益保持不变。请注意，增益精度仅取决于电阻比，与绝对值无关。

  当环境气温变化为10°C时，放大器电路的增益降低了0.025%（相当于1位系统中的12 LSB）。另一个不常被理解的参数是电阻中的自热效应。

  A.自发热会导致电阻发生明显的变化，因为当耗散功率增加时温度上升。大多数制造商的数据表将包括称为“热阻”或“热降额”的规格，以摄氏度/瓦特 （°C/W） 表示。对于典型尺寸的 1/4 W 电阻器，热阻约为 125°C/W。让我们将其应用于上述全量程输入运算放大器电路的示例：

  热电偶效应：绕线精密电阻器还有另一个问题。电阻线和电阻引线的连接处形成一个热电偶，对于普通绕线”/镍铬合金结，其热电电动势为180μV/°C。若选择具有[更昂贵的]铜/镍铬合金结的电阻，则值为2.5 μV/°C。 （“合金180”是77%铜和23%镍的标准成分铅合金。

  这种热电偶效应在交流应用中并不重要，当电阻的两端处于相同温度时，它们会抵消;但是，如果一端比另一端温度高，无论是由于电阻器中的功率耗散，还是由于电阻器相对于热源的位置，净热电电动势都会在电路中引入错误的直流电压。使用普通绕线 LSB！

  这个问题能通过安装绕线电阻器来解决，以确保温差最小化。这能够最终靠保持两根引线的长度相等来实现，以均衡通过它们的热传导，确保任何气流（无论是强制还是自然对流）都垂直于电阻器主体，并注意电阻器的两端与印刷电路板上的任何热源保持相同的热距离（即接收相等的热流）。

  Q.“薄膜”和“厚膜”网络之间有什么区别，使用电阻网络与分立器件相比有什么优点/缺点？

  A.除了占用空间少的明显优势外，电阻网络（无论是作为独立实体还是单片IC的一部分）还具有通过激光调整、紧密TC匹配和良好温度跟踪实现高精度的优势。分立式网络的典型应用是精密衰减器和增益设置级。薄膜网络还用于单片（IC）和混合仪表放大器的设计，以及采用R2R梯形网络拓扑的CMOS D/A和A/D转换器。

  在下面所示的IC仪表放大器示例中，电阻R1-R1、R2-R2、R3-R3之间的紧密匹配可确保高共模抑制（高达120 dB，直流至60 Hz）。虽然使用分立运算放大器和电阻可以实现更高的共模抑制，但在生产环境中，匹配电阻元件的艰巨任务是不可取的。

  匹配，而不是绝对精度，在CMOS D/A转换器中使用的R2R梯形网络（包括反馈电阻）中也很重要。为了实现n位性能，电阻必须匹配到1/2以内n，这能够最终靠激光修整轻松实现。然而，绝对精度误差可能高达±20%。这里显示的是CMOS数字模拟转换器中使用的典型R-2R梯形网络。

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