在半导体芯片等器材工艺中，后道制程中的金属衔接是经过金属薄膜堆积，图形化和蚀刻工艺，最终在器材元件之间得到导电衔接。

  等不同职业，对各种金属层（包含导电薄膜、粘附层和其他导电层）都有各式各样的电阻和厚度的量测需求，KLA Instruments™ Filmetrics® 事业部可供给先进的薄膜电阻丈量解决方案。

  和涡流法。两种丈量技能各有其优势，适用于不同的运用场景。咱们先来了解一下这两种技能的丈量原理。

  引脚的摆放方法通常是线性摆放或方形摆放，此处首要评论 R50 探针运用的线性摆放。关于大多数运用而言，运用的是规范丈量配备 （上图左）。而备用丈量配备（上图右）可作为 R50 双配备丈量方法的一部分，用于薄膜边际电流集聚或需求校对引脚距离改变的状况。此处展现的丈量成果仅运用了规范丈量配备。

  涡流技能经过施加交变磁场，丈量导电层中感应的涡流。线圈中的交变驱动电流会在线圈周围发生交变初级磁场。当勘探线圈挨近导电外表时，导电资料中会感应出交变电流 （涡流）。这些涡流会发生自己的交变次级磁场并和线圈耦合， 由此发生与样品的方块电阻成正比的信号改变。导电层越导电，涡流的感应越强，驱动线圈的阻抗改变就越大。

  R50供给了10个数量级电阻跨度规模运用的4PP四探针测验技能，以及高分辨率和高灵敏度的EC涡流技能，续写了KLA在产品发明新式事物的才能和职业前锋位置的前史。

  上图显现了 2μm 规范厚度铝膜的方块电阻分布图和薄膜厚度分布图。依据方块电阻数据（左），使用规范电阻率（中），将数据转换为薄膜厚度分布图（右）。在某些运用中，将多个方面数据显现为薄膜厚度分布图或许更有助于观测样品的均匀性。RsMapper 软件还供给差异分布图，即使用两个特定晶圆的测绘数据制作成单张分布图来显现两者之间的差异。此功用能用来评价蚀刻或抛光工艺前后的方块电阻改变。

  R50-4PP能丈量的最大方块电阻为 200MΩ/sq.，因而很合适比较薄的金属薄膜。关于十分厚的金属薄膜，电压差值变得很小，这会约束四探针技能的丈量。它只能丈量厚度小于几个微米的金属膜，详细还要取决于金属的电阻率。

  关于十分厚的金属薄膜，涡流信号会添加，因而对可丈量的金属薄膜的最大厚度实际上没有约束。

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  根据KLA 探针式轮廓仪的薄膜应力丈量(HRP® 系列和 Tencor® P 系列轮廓仪)