ch Web基础知识 SiC功率元器材“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前语”中介绍的需求精确丈量栅极和源极之间发生的浪涌。在这里，将为咱们介绍在丈量栅极和源极之间的电压时必需求分外留心的事项。咱们将以SiC MOSFET为例进行解说，其实所解说的内容也适用于一般的MOSFET和

  电源单元等产品中运用的功率开关器材大多都配有用来冷却的散热器，在丈量器材引脚间的电压时，一般是无法将电压探头号直接装置到器材引脚上的。因而，有时会将延伸电缆焊接到器材的引脚上，并在产品外壳外部衔接电压探头做丈量。

  图1为在ROHM评价板（P02SCT3040KR-EVK-001）上装置散热器并将电压探头与延伸电缆衔接进行丈量时的示例。其间，将衔接电压探头用的延伸电缆（长约12cm）焊接到被测器材（DUT）的引脚上，并将延伸电缆绞合以按捺辐射噪声的影响。运用这种丈量方法，施行图2所示的桥式结构下的双脉冲测验，并调查波形。

  在双脉冲测验电路的高边（HS）和低边（LS）装置ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS开关、LS一直OFF（栅极电压=0V）。图1所示的延伸电缆现已直接焊接在HS的栅极引脚和源极引脚上。

  图3为丈量到的栅-源电压波形。当外置栅极电阻RG_EXT为10Ω时，延伸电缆并没有太大的影响，但当将RG_EXT设置为3.3Ω并进步开关速度时，就会因电压和电压的改变而诱发噪声和电路的高频作业，导致丈量到的波形发生了明显改变。在该示例中，受丈量用的延伸电缆的影响，丈量仪器中显现的频段规模发生了改变，因为附加了额定的阻抗而导致调查到的波形与真实的原始波形彻底不同。

  需求留心的是，有必要一直留心调查到的波形是否是真实的原始波形，或许调查到的波形是否因为某些影响要素而与原始波形不同。为此，不只要知道怎样进行精确的调查，还要知道影响调查的要素。

  图4是该丈量所用的电压差分探头的等效电路（*1、*2）。一般，电压探头的频率特性设置包含探头的头部。但是，如果在DUT的丈量引脚上装置延伸电缆的话，在调查几十ns的高速开关波形时，会在杂散电感LEXT和电压探头主体的输入电容C之间引发谐振现象，由此发生叠加在原始电压波形上的高频电压振铃，这有几率会使调查到的浪涌比实践的浪涌更大。

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