长鑫存储请求氧化铟镓锌薄膜以及晶体管制备办法专利大大下降触摸电阻

来源:上海五星体育手机在线直播观看    发布时间:2024-12-26 07:17:07
通用贴片电阻

  金融界2024年12月21日音讯,国家知识产权局信息数据显现,长鑫存储技能有限公司请求一项名为“氧化铟镓锌薄膜以及氧化铟镓锌晶体管的制备办法”的专利,公开号CN 119153314 A,请求日期为2023年6月。

  专利摘要显现,本请求触及一种氧化铟镓锌薄膜以及氧化铟镓锌晶体管的制备办法。其间氧化铟镓锌薄膜的制备办法有:供给基底;于基底上构成氧化铟镓锌初始层;经过酸洗液对氧化铟镓锌初始层进行酸洗,以构成氧化铟镓锌薄膜。本请求施行例能大大下降氧化铟镓锌薄膜与电极(源极与漏极)之间的触摸电阻。

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