国产SiC碳化硅MOSFET为何会崛起

来源:上海五星体育手机在线直播观看    发布时间:2025-04-14 20:04:19
通用贴片电阻

  以BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)为例,国产SiC碳化硅MOSFET的崛起是技术突破、市场需求、政策支持及产业链协同发展的综合结果。国产SiC碳化硅MOSFET正在加速国产替代和器件变革升级,全面取代进口IGBT模块,替代进口IPM模块,替代进口IGBT单管和进口高压平面硅MOSFET,以及取代进口SJ超结MOSFET和进口高压GaN 器件,倾佳电子杨茜以下从多重维度深度分析其核心驱动力:

  倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势!

  倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势!

  倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势!

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的B3M系列SiC MOSFET在高压(1200V,650V,1400V,1700,2000V)、高频和高温场景下表现优异,例如典型型号B2M013C120Z的导通电阻(13mΩ@18V)、开关损耗等关键参数已接近或超越国际竞品。其基于6英寸晶圆平台的第三代产品,逐步优化了比导通电阻和可靠性,满足了新能源汽车对高效能、高功率密度的需求。

  国产SiC MOSFET通过AEC-Q101等车规认证,例如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的产品已应用于主驱逆变器、车载充电(OBC)等核心场景,并通过高压H3TRB测试,可靠性得到主机厂认可。

  2023年中国新能源汽车销量占全球64.8%,800V高压平台加速普及,带动SiC MOSFET需求。主驱逆变器占车规级SiC市场的88.6%,BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)等企业通过车规级模块和分立器件抢占市场。

  SiC MOSFET虽初始成本比较高,但其高频特性可减少电感、电容体积,降低系统综合成本。例如,采用1200V SiC器件可使电驱系统效率提升3%-5%,续航里程增加5%-10%。

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)采用IDM模式,整合设计、制造与封装,年产能达上百万只;国内6英寸/8英寸晶圆线(如BASiC基本股份)逐步投产,缓解了晶圆供应瓶颈。

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在新能源汽车主驱逆变器领域形成碳化硅模块技术壁垒,并且BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)深耕光伏、储能PCS、APF等工业市场,与国际巨头正面竞争。

  国内企业联合高校及研究机构攻克关键工艺,如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)与高校合作优化栅氧层技术,提升器件寿命。

  尽管国产SiC MOSFET已实现突破。未来需通过规模化生产(如8英寸晶圆)和工艺优化(如降低缺陷密度)逐步降低成本。

  BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)等国产企业的崛起,是技术迭代、市场红利与政策扶持共振的结果。随着800V高压平台普及和全球碳中和需求,国产SiC MOSFET比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)有望在车规级市场实现从“替代”到“引领”的跨越,推动中国在第三代半导体领域的全球话语权提升。

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  全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,实现电力电子产业升级和自主可控!